Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 107 108 109 110 111 112 113... 140 141 142
|
|
|
|
цессе роста. Дефекту упаковки соответствует достаточно высокая энергия образования. Поэтому их наличие в решетке—признак неравновесного субструктурного состояния. Отжиг способствует переходу решетки в равновесное состояние и уменьшению концентрации дефектов упаковки. Существенное значение имеет состав газовой фазы при отжиге. Отжиг в аргоне при 1250°С слабо влияет на плотность ДУ [94]. Это указывает на относительную термическую стабильность дефектов упаковки. Она может быть связана с несколькими причинами. С одной стороны, частичные дислокации в тетраэдре дефектов упаковки лишены возможности перемещаться. Кроме того, если дефект образовался на частицах либо островках окисла, присутствие этих частиц или островков в значительное мере стабилизирует дефекты упаковки. Если же в процессе отжига в химически активной среде, например при отжиге в водороде, окисел восстанавливается, то вместе с удалением частицы окисла должно происходить устранение нарушения в упаковке слоев [94]. Быстрый отжиг дефекта упаковки будет обеспечен, если вершинные дислокации расщепятся на частичные дислокации Хайденрайха — Шокли, которые могут выйти на поверхность пленки. Когда дефект упаковки возникает не на частице окисла, а в результате расщепления на частичные дислокации, лежащие в плоскости подложки, он может сохраниться несмотря на отжиг. На рис. 7-11 эволюцию дефектов в процессе отжига можно проследить по светлым контурам, соответствующим удалению ДУ. Темные контуры отвечают сохранившимся дефектам упаковки [95 [. Большая часть дефектов упаковки отжигается че-рез несколько часов термо-Рис. 7-11. Отжиг дефектов упаобработки, ковки в водороде (темные кон С . туры-не отожженные, светоБольшое значение на-вые— отожженные ДУ). чальной стадии образования 210 эпитаксиальной пленки связано не только с низким качеством подготовки подложки. Даже если подложка имеет совершенную структуру, плотность дефектов упаковки будет зависеть от взаимодействия активной газовой среды, в которой происходит осаждение с поверхностью подложки. В рассмотренном выше случае [93] воздействие на подложку углеводородов приводило к образованию частиц БЮ, вблизи которых формировались участки пленки, содержащие дефекты упаковки. Если подложку, прежде чем на нее осаждать 31, обработать при 1200°С в течение 5 мин в водороде, содержа 10 "в I т — 1 н2о\ 1 1 10" ю'тг^ С примеси '10 "% 10" Рис. 7-12. Влияние наличия примесей 02 и N в водороде при обработке подложки на плотность дефектов упаковки в пленке, выращенной на этой подложке. щем 10~4—Ю-1 % различных примесей (02, N2 или Н20), то плотность дефектов упаковки будет зависеть от концентрации примеси. Например, при 0,1% 1Ч2 плотность ДУ заметно возрастает, что объясняется появлением на подложке зародышей нитрида кремния. В то же время увеличение концентрации 02 и Н20 при предварительной обработке подложки в атмосфере водорода снижает, вероятность образования дефектов упаковки при последующем осаждении на нее кремния. Из рис. 7-12 видно, что добавление паров воды способствует интенсивному исчезанию дефектов упаковки. Присутствие паров Н20 способствует активизации взаимодействия с подложкой других компонентов паро 21/
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 107 108 109 110 111 112 113... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
