Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 106 107 108 109 110 111 112... 140 141 142
|
|
|
|
подложки (несовершенств, неровностей или химически чужеродных образований). Если в процессе роста происходит интенсивное замуровывание вакансий, то эти вакансии коалесцируют и образуют вакансионные скопления. Рнс. 7-9. Зародыши роста Б1 на подложке Бг Нормаль к поверхности подложки близка к [233]. а —светлое поле; б —темное поле; в — схема сложного двойника; Г —двойник с однон плоскостью двойннковання (111); В и О — двойники с двумя плоскостями двойниковання. Захлопывание диска вакансий происходит с появлением кольцевой сидячей дислокации Франка. Дислокация Франка обладает высокой энергией. Поэтому она обычно расщепляется на две частичные дислокации: дислокацию Шокли 1/6 [121] и вершинную дислокацию 1/6 [101]. Если в материале имеются примеси, то они могут мигрировать к дислокациям, снижая энергию дефекта упаковки. Вследствие этого вероятность образования дефекта упаковки в присутствии атмосферы примесей возрастает. Энергия образования дефекта упаковки в кремнии порядка ¡(75-4-90) 10-19 Дж/см2. При большой скорости роста, когда замуровывается большое число вакансий, плотность дефектов упаковки может быть весьма значительной. О существенной роли этого механизма образований ДУ свидетельствует также увеличение числа ДУ на единице площади поверхности пленки при уменьшении поверхностной плотности дислокаций в подложке [86]. Связь между концентрацией дислокаций в подложке и ДУ в пленке Плотность дислокаций в подложке, 10" см"" Плотность ДУ в слсе, 10" см"" 15 1,8 10 3,2 3 50 1,4 Как известно [86], почти все дислокации подложки наследуются растущим слоем. Поэтому увеличение плотности дислокаций в подложке и, следовательно, в слое способствует более интенсивному стоку вакансий и снижению их концентрации в участках пленки, расположенных между дислокациями. Вследствие этого вероятность образования вакансионных скоплений, которые могут впоследствии захлопываться, существенно снижается. Изучение зависимости плотности дефектов упаковки от скорости осаждения, которая регулировалась концентрацией БЮЦ, показывает, что с увеличением скорости роста плотность дефектов упаковки возрастает линейно (рис. 7-10). В реальных условиях действуют обычно обе названные причины: появление дефектов упаковки вследствие загрязнений и других нарушений однородности подложки (наследуемые дефекты) и возникновение их в про 0,3 мк/мин Рнс. 7-10. Влияние скорости роста Ур пленки Бі на плотность ДУ. / — вертикальная, 2, 3 — горизонтальная установка.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 106 107 108 109 110 111 112... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
