Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 105 106 107 108 109 110 111... 140 141 142
|
|
|
|
Гис. 7-7. Различные типы двойниковых дефектов в эпитаксн-альных пленках Б! и йе. а — дефекты упаковки на плоскости (111); 6 — схема дефекта упаковки на плоскости (111) в Э1. Форму равносторонних треугольников ДУ имеют на плоскости (111) Si (рис. 7-7,а). Схема ДУ на плоскости (Ml) изображена на рис. 7-7,6. Проявление дефекта упаковки при травлении в виде одиночной линии или V-образной фигуры, как следует из этой схемы, является результатом образования замкнутого многогранника с двумя параллельными близко расположенными ДУ. Процесс образования вторичных ДУ может быть -ответственным за возникновение сложной конфигурации ДУ, например появление тетраэдра дефектов упаковки 212 \ Wffffr § /200 I I 1 800-800 Ш (WO) (04) Ш(М)(0Г) Ц22г) (00) =FF 0,8 0,5 0,4 0,2 ¿7 "Z0,4-smp и т. п. В дефекте упаковки, возникшем вследствие захлопывания плоского вакансионного скопления (диска вакансий), может быть пропущен один из слоев нормальной упаковки — это ДУ вычитания; а когда пропущено несколько слоев, образуется дефект внедрения. При неправильном размещении трех или более слоев упаковки возникает микродвойник. Микродвойники наблюдаются, например, в ав-тоэпитаксиальных пленках германия (рис. 7-7). Еще более сложным трехмерным дефектом является микродвойниковая ламель. Число дефектов упаковки зависит от ориентации (рис. 7-8) и несовершенства поверхности подложки, условий роста и энергии образования ДУ. Большинство ДУ зарождается на границе между подложками и эпитаксиальным слоем. Механические повреждения подложки в наибольшей степени способствуют появлению дефектов упаковки. При механической обработке, нарушающей структуру поверхностного слоя, плотность дефектов упаковки перестает зависеть от ориентации подложки (кривая 2, рис. 7-8). Дефекты упаковки, берущие свое начало от подложки, могут быть отнесены к категории наследственных ДУ. Даже если подложка имеет совершенную структуру и свободна от окисла, на ней могут появляться дефекты упаковки, а также простые и сложные двойники (рис. 7-9). Каждый из таких сложных центров состоит из нескольких областей с различающейся ориентировкой. В подобных сложных островках возникают правильные линейчатые структуры, дающие сильный контраст. Они представляют собой прослойки микродвойников, ориентированные параллельно плоскости (111). Дефекты подобного типа появляются, если на подложку попадаютуглеводороды и на ней возникают зародыши р—БгС [93]. Дефекты упаковки, мнкродвойники могут появляться не только в результате наследования дефектных мест; Рнс. 7-8. Влияние ориентации поверхности подложки на плотность ДУ в пленках Si.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 105 106 107 108 109 110 111... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
