Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 103 104 105 106 107 108 109... 140 141 142
|
|
|
|
что стадия гетерогенной химической реакции, как правило, ответственна за высокое совершенство пленок, полученных путем кристаллизации с участием химических реакций [86]. Скорость роста обычно лимитируется скоростью одной из стадий реакции. Со, г/лРис. 7-6. Технологическая диаграмма для скорости роста г(С0, Т). (Со — исходная концентрация ноднда; Т — температура). В случае "статического" метода, т. е. осаждения в закрытом сосуде, скорость роста лимитируется скоростью массообмена. В одной из разновидностей "статического" метода—сэндвич-методе—расстояние между источником и подложкой преднамеренно уменьшается. Газовое травление и рост эпитаксиальной пленки протекают в близких условиях. Массосбмен осуществляется только с помощью диффузии. Можно дать точный расчет скорости массообмена в реакторе и построить технологическую диаграмму для скорости роста пленки германия иае=Р(С, Тп) для реакции: Се+Ое14^2Се12 [88]. Эта технологическая диаграмма приведена на рис. 7-6 для нелегированных слоев германия при градиенте температур в сэндвич-методе д,Т\1И=\ град-см-1. На диаграмме могут быть выделены две основные области (!) и К) физико-технологических условий нанесения пленки — С, г/л, и /,°С. В области Б скорость переноса лимитируется диффузией в газовой фазе. Для этой области, ограниченной значениями С5 г/л и 7,^600°С, 208 справедливы расчеты в квазиравновесном приближении. В области К при меньших значениях температуры и концентрации лимитирующей стадией реакции становится кинетика гетерогенных поверхностных реакций. Размеры D и /(-областей и форма границы между ними на технологической диаграмме зависят от ориентации подложки, градиента температуры dTjdl и расстояния d между пластинами. Введение примесей при легировании смещает границу между К и D-областью в сторону более высоких температур. Введение в газовую фазу соединений Sb или Ga до соотношения Sb:Ge(Ga:Ge) в несколько процентов смещает температурную границу на 100—150° [88]. Дальнейшее добавление примеси приводит к локальному образованию на подложке слоя жидкой фазы, представляющей собой сплав примеси и материала подложки. Скорость роста пленки резко возрастает.. Переход к механизму типа "пар — жидкость—кристалл" (ПЖК) приводит к быстрому росту игольчатых кристаллов. При малой концентрации примесей или для нелегированной пленки положение границы областей К и D определяется некоторой критической скоростью гетерогенных химических реакций и*ХИм. При осаждении на плоскости (111) для 7,П=600°С и С=5 г/л достигается скорость роста VGe—^ОО мкм/ч. Для выращивания совершенной монокристаллической пленки оптимальной является D-область, где скорости роста пленки на плоскостях различных ориентации близки друг к другу, а поверхность слоя зеркально-гладкая. Плотность дислокаций Ыл. п пленки в D-области, обычно: Мд.п (1,5^-2)Ыл,0 (подложки). В пределе Na.n стремится к т. к. в процесе роста дислокации лишь наследуются от подложки и новые дислокации не образуются. В /(-области в эпитаксиальном слое Яд.п^Ю4 см-2. Дислокации располагаются неравномерно, что связано со спецификой роста в /(-области, когда на поверхности слоя образуются вицинальные фигуры роста. Пучки дислокаций с плотностью я=Л05—106 обычно располагаются вдоль оси вицинальных пирамид [88]. Увеличение вклада неупорядоченных конвективно-концентрационных потоков способствует ухудшению структуры и однородности пленки. В этих условиях (особенно при больших давлениях) могут появиться даже целые области с ориентировкой, отличающейся от основной. 14—295 209
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 103 104 105 106 107 108 109... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
