Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 102 103 104 105 106 107 108... 140 141 142
|
|
|
|
рис. 7-4,г, который представляет собой проекцию трехмерной диаграммы на плоскость Тп—Csi/Cci. При заданном значении Cci/Сн, кроме водорода основными компонентами парогазовой смеси являются соединения SiHCl3 и HCl. Ниже 1050 К отношение Csi/ Сн больше 0,25, т. е. парогазовая смесь будет подтравливать поверхность подложки. При повышении температуры происходит водородное восстановление SiHCl до HCl и Si. При повышении температуры увеличивается также содержание SiCU. Диспропорционированию SiCU с образованием SiCl2 способствует, кроме того, уменьшение давления. Диаграмма рис. 7-4,д построена для давления 105Па, которое используется в большинстве случаев. Диаграмма разделена границей (оттененная линия) на две части. Выше этой границы будет происходить подтравливание подложки, а не рост пленки, при условии, что исходным источником является SiCU. Если в качестве исходного источника используют SiHCl3, то травление подложки происходит лишь при больших отношениях Cci/Сн и высокой температуре (7'п1500 К). Механизм кристаллизации при осаждении Si или Ge из парогазовой смеси является сложным процессом. Например, при восстановлении SiCU водородом могут осуществляться следующие различные механизмы кристаллизации: 1.Рост из пара Si, который образуется вблизи подложки в результате выделения элементарного кремния в газовой фазе. 2.Рост с использованием Si, восстановленного в процессе гетерогенно-хаталитических поверхностных реакций. 3. Рост по схеме пар — жидкость — кристалл [87]. В этой схеме на поверхности существует жидкая пленка тройной эвтектики кремний — кислород — примесь, питаемая кремнием, поступающим из газовой фазы. Плен, ка растет за счет поступления кремния из этой жидкой фазы. Каждый из рассмотренных механизмов может реализоваться в соответствующих условиях. Предполагается, например, что если выделить некоторую критическую температуру 7"*п, то ниже этой температуры происходит рост за счет гетерогенно-каталитических поверхностных реакций. Выше Т*п осуществляется интенсивное выделение кремния в газовой фазе, и рост происходит в при Сутствии пересыщенного пара 51. При больших пересыщениях осуществляется процесс гомогенного образования твердых или жидких зародышей 51, которые затем осаждаются на подложку. В этих условиях, за исключением некоторых особых случаев, пленки с совершенной кристаллической структурой не образуются. При гетерогенно-каталитических реакциях рост пленки происходит в результате многостадийной реакции: Рис. 7-5. Схема присоединения атомов Ge, освобожденных в процессе диспропорционирования Gel2. а — хемосорбция Gel2; б — образование Gel,; я — присоединение атомов. подвод реагирующих веществ к поверхности; адсорбция; реакции на поверхности; десорбция продуктов реакций; перенос продуктов реакции от кристалла; присоединение атомов Si или Ge к ступенькам роста. Некоторые из перечисленных реакций могут происходить одновременно на разных участках подложки или совмещаться в пространстве и времени. Рассмотрим, например, рост пленки Ge по иодидному методу [88]. Реакция проходит в две стадии: 1) хемосорбция молекул Gel2 в активных центрах роста; 2) диспропорционирование Gel2 в результате столкновения адсорбированных и находящихся в газовой фазе молекул Gel2 (рис. 7-5). Предполагается, что особенности строения молекул Gel2 и активных мест присоединения на поверхности кристалла позволяют атомам Ge из молекул Gel2 регулярно присоединяться к монокристаллу, занимая правильные кристаллографические позиции. Теоретический анализ показывает,
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 102 103 104 105 106 107 108... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
