Материаловедение в микроэлектронике






Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Материаловедение в микроэлектронике

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .



Страницы: 1 2 3... 101 102 103 104 105 106 107... 140 141 142
 

На рис. 7-4 показана топография трехмерной диаграммы, по двум осям которой в качестве независимых первичных физвко-технологических параметров отложены температура и отношение концентраций Со/Сн [83]. По третьей оси, перпендикулярной плоскости рисунка, отложено отношение концентраций Са/Са. Топография в плоскости 7ц—Са/Сн представляет собой семейство проекций сечений трехмерной поверхности С^/Сс^/7 (Тп, Са/Сц) плоскостями, параллельными плоскости с осями 7*п и Са/Сц. Каждая из линий на двумерной диаграмме соответствует определенному значению Сы/Са — длине отрезка на оси С^/Ссь ограниченного плоскостью Тп—Са/Сн и секцией плоскости. На рис. 7-46, в показана проекция зависимости С^/Ссл— Са/Сц соответственно на плоскость Св^Са—Та и Сэ1/Са—Сса/Сн. Рис. 7-4. Диаграммы равновесия Отношения Csi/Cci и мольные доли компонентов SiCl, SiCl2, SiHCl, SiH2Cl2, SiH3Cl, SiCl4 представлены на рис. 7-4 как функция температуры для 7"п= 1450 К. В этих условиях главными составными частями парогазовой смеси при малых отношениях Са/Сц являются HCl, SiCl2 и SiHCl3. Отношение Csi/Cci монотонно изменяется по мере увеличения Cci/Сн от 0,01 до 0,25. С увеличением отношения Cci/Сн содержание хлоридов повышается при соответствующем расходе водородосодержащих компонентов. При Cci/Ch0,4 отношение Csi/Ca становится больше 0,25. Если исходным кремнийсодержащим компонентом являлся SiCU, то парогазовая смесь с высокой концентрацией SiCU будет растворять кремний подложки. Влияние температуры на соотношение Csi/Cci при одном и том же содержании Cci/Ch=0,02 показано на 600 300 WOO ООО 1200 1300 1Ш 1500 1600 к для газовой фазы [831 Si—с1—Н.
rss
Карта
 






Страницы: 1 2 3... 101 102 103 104 105 106 107... 140 141 142

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу


Новые сварочные источники питания: Сб. науч. тр.
Общетехнический справочник
Упрочнение и отделка деталей поверхностным пластическим деформированием: Справочник
Материаловедение в микроэлектронике
Технология и свойства спеченных твердых сплавов и изделий из них. Учебное пособие для вузов
Вентиляция рабочих мест в сварочном производстве
Сварка порошковой проволокой

rss
Карта