Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 100 101 102 103 104 105 106... 140 141 142
|
|
|
|
чей температуры Зайнснт интенсивность npoteкaния Целого ряда пО^ бочных реакций, например реакции газового травления, диффузии примесей по толщине и т. д. Масс-спектральный анализ показывает", чтб в паро-газовой смеси при химической кристаллизации содержатся следующие примеси |['83]: ПримесьОбъемные доли Кислород....... 3.10-"-6.10-" Азот......... 6.10-"—6.10-" Углекислота...... 2' Ю"'—6.10"' Для того чтобы количественно оценить, какая часть газообразных продуктов используется в реакторе в процессе кристаллизации, вводят понятие коэффициента превращения ц — отношение числа осевших на подложку нз парогазовой фазы атомов к общему их числу. мк/мин J3S0 1200 го У* i 1000 SSO °с Зеркальная Фигуры Нитевидные Поверхность травления кристаллы Vp, мк/мин vp, мк/мин 5 3 2 1,5 1,0 0,7 0,5 0,2 0,1-— В7В3 И4 Рис 7-3. Влияние температуры и режимов реакции иа скорость роста эпитаксиальных пленок Si и различных вариантах метода газотранспортных реакций [86]. / — восстановление SiHCl3 водородом; 2, 3, 4 -то же для SiCI,; 2-расход v (Н2) = 16,8 л/мин; 2—3 л/мин; 5 — пиролиз силана; 6 — восстановление ЬШг4 водородом; 7-разложение SiCI,. газ-носитель Не; 8, 9 — восстановление Sil, водородом; 10 — восстановление SiCI, водородом, расход Нг — 2,5 л/мин. 202 Подробное описание метода химической кристаллизации приведено в |[82]. Технологическая диаграмма для эпитаксиальных пленок Э1 и йе, нанесенных с помощью химической кристаллизации. Зависимость структуры и свойств пленок от физико-технологических параметров, характеризующих условия их выращивания, может быть описана в наиболее общем виде с помощью специальной технологической диаграммы. Она представляет собой трехмерную диаграмму, которая графически изображает зависимость важного в технологическом отношении свойства пленок или параметра роста пленок как функцию двух основных первичных физико-технологических параметров: vк — скорости поступления на подложку осажденного вещества и Тп — температуры подложки в процессе роста (см. гл. 5). В простейшем случае подобной технологической диаграммой является зависимость шк — скорости роста пленки от ик и Тп. В разных методах vк выражается различным образом. При термическом испарении и осаждении она определяется скоростью поступления молекул на подложку из молекулярного пучка. При катодном распылении скорость поступления вещества характеризуют током разряда. При газотранспортных и газофазных химических реакциях скорость подвода вещества к подложке может быть охарактеризована концентрацией вещества, транспортируемого парогазовой смесью при постоянной скорости потока газа и давлении или другим более сложным способом, если параметры потока изменяются. Условия кристаллизации и подвода вещества к растущим кристаллам могут быть заданы степенью насыщения потока транспортируемым веществом (отношением концентрации кристаллизуемого и транспортирующего веществ и т. п.). На третьей оси технологической диаграммы могут быть отложены значения скорости роста пленки, плотности дефектов, электрофизических параметров ("концентрации и подвижности равновесных, время жизни неравновесных носителей заряда и т. д.) К технологическим диаграммам могут быть отнесены также диаграммы равновесного состава парогазовой смеси. Например, для одного из наиболее распространенных промышленных методов выращивания эпитаксиальных пленок кремния важное значение имеет диаграмма равновесного состава газовой фазы в системе 51—С1—Н при постоянном давлении.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 100 101 102 103 104 105 106... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
