Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 98 99 100 101 102 103 104... 140 141 142
|
|
|
|
го транспорта". При этом труднолетучий материал переносится из одной области реакционной камеры в другую в виде легколетучего химического соединения. Процесс складывается из трех основных стадий: образование легколетучего материала в области камеры, называемой зоной источника, перенос этого соединения в зону осаждения, разложение (или восстановление) соединения на подложке или вблизи нее, сопровождаемое осаждением на ней вещества источника. Метод химической кристаллизации получил широкое распространение при выращивании различных пленок. В настоящее время этот метод является наиболее важным промышленным методом изготовления эпитак-сиальных пленок кремния в микроэлектронике. Широкое практическое использование метода химической кристаллизации обусловлено следующими характерными для него преимуществами: 1)не требуется сложного, дорогостоящего вакуумного оборудования; 2)большая сравнительно с конденсацией в вакууме скорость осаждения и, следовательно, более высокая производительность; 3)легко осуществляется осаждение химических соединений стехиометрического состава и управление их составом; 4)просто и воспроизводимо осуществляется контролируемое легирование; 5)тугоплавкие и труднолетучие материалы можно осаждать при сравнительно низких температурах; 6)позволяет выращивать эпитаксиальные пленки с совершенной структурой; 7)пленочные покрытия могут быть нанесены на подложки сложной геометрической формы. По [82] для "химического транспорта" может быть использована реакция, которая удовлетворяет следующим требованиям: конденсированная фаза включена лишь в одной части уравнения реакции; в диапазоне температур, оптимальных для осаждения пленки равновесие реакции не должно быть резко смещено в какую-либо одну сторону. Термодинамическое и кинетическое описание реакций при химической кристаллизации обычно отличается большой сложностью, что затрудняет детальное понимание хода реакции и количественные расчеты. Кроме этой трудности, методу химической кристаллизации присущи также следующие недостатки: 1)химическое осаждение проводят, как правило, при значительно более высокой температуре, чем конденсацию в вакууме; 2)газообразные реагенты и продукты реакций часто химически активны, токсичны и взрывоопасны; 3)могут протекать побочные реакции и осуществляться химический транспорт вещества со стенок реактора и его деталей на подложку; 4)маскирование подложки от осаждения связано со значительными трудностями. 800 Рис. 7-1. Схема камеры реактора для нанесения пленок 51 с помощью газотранспортной реакции в закрытой трубке. / — источник Б1; 2 — подложка; 3 —реактор; 4 — ампула; 5 —иод кристалли; ческиб; 6 — лигатура.и—1а"Ы1и На рнс. 7-1 показана схема химического реактора в методе закрытой (а) н открытой (б) трубки. Наиболее характерными с использованием реакции днспропорционнровання, например по реакции 51+51СЦ**251С12,(7-1) деталями такого реактора являются кроме самой трубки (из плавленого кварца высокой степени чистоты) также источник и подложка. В источнике при Г„=к1100*4] реакция протекает слева направо с образованием субгалогеиидов. Транспортный поток газа (обычно инертный газ) переносит продукты реакции (5Ю2 нлн 5иг) нз зоны реакции к подложке, на которой осаждается пленка. Подложку поддерживают при 950°С. При этой температуре происходят выделение чистого 51 и образование БЮЦ. Наибольшее распространение получил метод закрытой трубки. Весь процесс в этом случае происходит в запаянной ампуле, помещенной в двухзоииой печи, градиент температур для которой изображен схематически иа рис. 74. Перенос дигалонда в зону подложки в этом случае происходит благодаря конвективным потокам.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 98 99 100 101 102 103 104... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
