Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 97 98 99 100 101 102 103... 140 141 142
|
|
|
|
па 250 О -500 \ -1000 к -1500 -2000 лений, пленочные резисторы из этого материала характеризуются также малым положительным ТКС (для состава 70% Сг, 30% БЮ) (рис. 6-30). В настоящее время с материалами для пленочных резисторов на основе Б1 конкурирует все более широко нитрид тантала (Та2Ы) [24]. Пленочные резисторы из Та2Ы, защищенные слоем, состоящим из смеси нитридов и окислов Та, отличаются высокой стабильностью, не уступающей стабильности пленочных резисторов из силицидов и материалов типа Б1—Сг, 510—Сг. Резисторы из Та2Ы в то же время имеют существенные технологические преимущества, так как они могут быть нанесены реактивным катодным распылением в среде азота в одном и том же технологическом цикле, в котором наносят проводящие дорожки и обкладки конденсаторов из р—Та и изолирующий слой из Та2Об [24]. --ь -- 30 30 . 50 70 Содержание хрома, оо~ъемн.% Рис. 6-30. Зависимость ТКС от состава пленочного резистора из кермета. Глава седьмая ХИМИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК 7-1. ВЫРАЩИВАНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК МЕТОДОМ ХИМИЧЕСКОЙ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ При химической кристаллизации осаждение пленки вещества из газовой фазы "а подложку происходит в процессе химической реакции на поверхности самой подложки или в непосредственной близости от нее. Конденсат на подложке образуется вследствие накопления на ней твердых продуктов реакции, протекающей в среде одного или нескольких газообразных реагентов, из которых по крайней мере один содержит осаждаемый материал. Химическая реакция в этих 'Процессах играет активную роль. Она является не только средством доставки материала. Химические Еещества, принимающие участие 196 в процессе роста, интенсивно взаимодействуют с растущей поверхностью. Элементарные акты химических превращений являются существенными составными частями механизма роста эпитаксиальной пленки. Поэтому химической кристаллизацией называют совокупность процессов образования и роста кристаллов в контакте с атмосферой, содержащей активные химические вещества [82, 83]. Последние, взаимодействуя друг с другом и с растущей поверхностью кристалла, поставляют необходимый для кристаллизации материал. Химическая кристаллизация из гэзоеой фазы может проводиться как в условиях атмосферного или даже высокого давления, так и при низких давлениях или в высоком вакууме. В последнем случае она имеет много общего с осаждением в результате термического испарения или катодным распылением в среде химически активных остаточных газов. Осаждение часто проводят в условиях активирования химической реакции теплом, ВЧ полем, облучением, электромагнитными или корпускулярными потоками н т. п. Диапазон реакций, которые могут быть использованы для химического осаждения, весьма широк. Во многих из этих реакций подложка может принимать активное участие в реакции. На практике выбор реакции ограничен тем, что в процессе осаждения подложка не должна изменять своих свойств. Поэтому обычно используют реакции, протекающие достаточно быстро при низкой температуре, при которой подложка слабо взаимодействует с газообразными реагентами. Для химической кристаллизации в настоящее время успешно применяются реакции разложения, например * 800-Ы30О°С' 2 и реакции восстановления водородом галогенидов веществ, осаждение которых осуществляется, например БіСЦ+гНг—м8і + 4НС1. В последнем случае вещество может разлагаться вследствие наличия второго активного реагента при температуре, значительно более низкой, чем температура, требуемая для пиролиза этого вещества в отсутствие этого второго реагента. Важное место среди методов химической кристаллизации занимает метод "химическо
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 97 98 99 100 101 102 103... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
