Теория термической обработки металлов. Учебник
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 100 101 102 103 104 105 106... 389 390 391
|
|
|
|
образования критического зародыша с ростом переохлаждения быстро уменьшается (обратно пропорционально квадрату А/).. Работу образования критического зародыша при заданном переохлаждении можно выразить через поверхностную энергию. Из формулы (19) следует, что А/ = Ау/а^. Подставляя это значение в выражение (20), получим АгКр= — акр—:--(-оакр7 =-5--. икРд Так как бокр — это площадь поверхности зародыша 5, то ЛЛр = 4 8?.(22) Таким образом, работа образования критического зародыша равна одной трети его поверхностной энергии 1. Остальные две трети поверхностной энергии компенсируются уменьшением объемной свободной энергии. Откуда же берется в замкнутой системе энергия. требуемая для образования критического зародыша? В кристалле колеблющиеся атомы непрерывно обмениваются между собой кинетической энергией. Из-за хаотичности теплового движения энергия распределена между атомами неравномерно. В определенный момент энергия разных атомов различна, а для одного атома она меняется от одного момента времени к другому. Всегда имеются атомы и группы атомов, кинетическая энергия которых больше или меньше средней величины. Отклонение энергии от среднего значения называется флуктуацией энергии. Флуктуационное повышение энергии в группе атомов материнской фазы может обеспечить работу образования критического зародыша. Критический зародыш образуется там, где участок материнской фазы размером не меньше критического обладает повышенной энергией не ниже определенного уровня. Таким образом, хотя у решетки новой фазы запас свободной энергии меньше, чем у решетки материнской фазы, переход от одной фазы к другой при образовании центра кристаллизации происходит через промежуточное состояние с повышенной свободной энергией, большей, чем у исходной фазы. Число атомов, энергия которых выше некоторого уровня Е, пропорционально фактору Больцмана еЕ/кТ. Очевидно, чем больше флуктуация по уровню энергии и по размерам в кристалле участка с повышенной энергией, тем меньше вероятность флуктуации в пределах исходной фазы. Теперь можно объяснить зависимость скорости зарожделия центров новой фазы от переохлаждения. С увеличением степени 4 Так как поверхностное натяжение на разных гранях кристалла различно, то, строго говоря, в формуле для работы образования критического зародыша следует вместо $у поставить сумму + 5272+ ... 4впуп, где п — число граней
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 100 101 102 103 104 105 106... 389 390 391
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
