Спеціальні способи зварювання: Навчальний посібник
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 11 12 13 14 15 16 17... 438 439 440
|
|
|
|
ду в розміщену вище порожню зону (зона провідності), що призводить до втрати діелектричних властивостей тіла. Напівпровідники, як і ізолятори, мають порожні та заповнені зони, але ширина забороненої зони, на відмін^' від ізоляторів, мала і складає 0,1... 1,0 еВ. Навіть невелике теплове збудження може перевести електрони через цей бар'єр у зону провідності, і кристал стає провідником. Введення в напівпровідник атомів інших елементів також може різко змінити його провідність, причому механізм впливу може бути різним. Наприклад, розглянемо провідність кремнію (IV група) при додаванні фосфору (V група) та індію (III група). При малих концентраціях атоми фосфору та індію заміщують у кристалічних ґратках атоми кремнію. При цьому фосфор має на один валентний електрон більше, а індій на один менше, ніж кремній. Зовнішні електронні конфігурації кремнію 3s^3p^, фосфору 3s^3p^, індію 55^5/\ У кристалах кремнію атоми-домішки прагнуть пристосовуватися до зв'язків основного кристалу і чотири електрони фосфору використовуються для зв'язку, а один електрон стає зайвим і переходить у зону провідності, що збільшує провідність кремнію. При додаванні індію до кремнію для забезпечення зв'язку в атома індію недостає одного електрона, і він може запозичити його в атома кремнію. При цьому у валентній зоні кремнію стає на один електрон менше, тобто виникає дірка, яка є ефективним носієм електричного струму, і провідність кремнію зростає. Домішкові атоми фосфору або іншого елемента з V групи називаються донорами або домішками п-типу, а домішки індію або іншого елемента з III групи називаються акцепторами або домішками р-типу. Донорні домішки вносять електрони в зону провідності, а акцепторы домішки вносять дірки у валентну зону. У провідників (металів) верхня зона (зона провідності) заповнена приблизно наполовину. Під дією зовнішнього електричного поля 13
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 11 12 13 14 15 16 17... 438 439 440
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
