Упрочнение деталей машин электроосаждением железа
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 20 21 22 23 24 25 26... 103 104 105
|
|
|
|
в полпкрнсталлическнх системах практически всегда имеется поле напряжений, независимо от того, испытывает ли твердое тело внешнее нагружение пли нет. Это также является причиной искажения решетки в виде искривлений, местных смещений части атомов и т. д. Точечные дефекты тина вакансий и внедренных атомов также всегда имеются в кристаллах металлов, находящихся в равновесии. В растущих кристаллах вакансии возникают вследствие нарушения правильного порядка присоединения атомов (вакансии первичного происхождения). При электрокристаллизации образуются новые вакансии как результат сильных искажений решетки. Дислокации являются местом скоиления вакансий и возникновения новых. Для вакансий характерна значительная неустойчивость, легкость смещения в один из соседних узлов. Скорость дв)1жения вакансий составляет около 10~^см (то есть несколько атомных расстояний в секунду. Чем выше температура, тем больше вакансий в решетке и тем легче они перемещаются. Вакансии могут изменять свое положение в кристалле, под влиянием неблагоприятных воздействий скапливаться в некоторых зонах, создавая зародыш субмикроскопической полости-трещины. Наличие вакансий нарушает нормальное взаимодействие между атомами. Атом, проникающий путем диффузии в атомную решетку кристалла (например, атомы водорода в кристал-'лической решетке электролитического железа), нарушает правильность последней, так как его взаимодействие : основными атомами отличается от взаимодействия однородных атомов; в решетке получается искажение (возникают внутренппе напряжения). Влияние примесей на прочность очень велико. Внедренные атомы представляют собой точечные дефекты структуры кристалла. Ничтожные примеси (порядка 0,1—0,001%) могут оказать существенное влияние на свойства металла. Объясняется это тем, что внедренные ато.мы и. меют тенденцию не распределяться равномерно в решетке матрицы, а скапливаться в определенных зонах, особенно на границах зерен, где легче протекает диффузия. Если точечные дефекты разбросаны в кристалле отдельными скоплениями, то, в отличие от них, дислокация охватывает ряд последовательных атомных плоско стей, то есть дислокация является местным нарушением правильного порядка атомов. По теоретическим подсчетам в идеальной решетке напрялчение, необ. ходимое для сдвига рядов атомов на одно атомное расстояние, равно 1/30 модуля сдвига G. По опытным данным, для возникновения скольжения достаточно напряжение всего от Ю"* до 10^'" от G. По теоретическим данным, сила, необходимая для смещения дислокации на одно атомное расстояние, примерно в 10^ раз меньше, чем сила, необходимая для взаимного сдвига двух плоскостей идеального кристалла. Подвижность дислокации в плоскости скольжения — одно из ее важнейших свойств. Оно тесно связано с относительным смещением путем скольжения одной части кристалла по другой. Этим дислокации особенно выделяются среди других дефектов решетки, например, вакансий, перемещение которых не искажает формы кристалла. [341. По данным работ, [35, 36] количество дислокаций (их плотность) в наклепанном и электроосажденном металле может доходить до Ю'^ в 1 см^ в хорошо отоженном — до 10^ в 1 см^. В среднем расстояние между дислокациями составляет, по данным Контрелла [35], для меди от 12 (для линейной дислокации) до 8 (для винтовой) атомных расстояний. Интересным свойством дислокаций является то, что они как бы притягивают в свою зону растворенные ато.мы; происходит это потому, что такие атомы легче размещаются в зонах с неправильной структурой; при наличии примесей (а они, как правило, всегда есть), в зоне дислокации образуется, как говорят, атмосфера чужеродных атомов. При пластической деформации такие атомы могут при смещении дислокации удерживаться на .месте. В картине развития пластической деформации это имеет существенное значение. Можно полагать, что самое распадение кристалла на блоки, ориентированные друг к другу иод очень малыми углами, вызвано скоплением дислокаций, которые образуются в процессе кристаллизации. С точки зрения зарождения дислокаций они могут быть разделены на две категории: дислокации, образующиеся в процессе кристаллизации, и дислокации, возникающие при деформации. 44 45
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 20 21 22 23 24 25 26... 103 104 105
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
